低压半桥驱动的价格-上海明达微电子-浙江低压半桥驱动

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LDO的电路原理及特性：

原则上，只要有线性特性的器件都可以，所以BJT和MOSFET都可以，但是BJT主要因为它是电流控制型不符合低功耗的要求，而且驱动电流比较大，所以Vin和Vout的差值还是太高，所以现在都采用MOSFET。至于该采用NMOS还是PMOS主要还是取决于压差，通常选用PMOS。因为PMOS的dropout电压是就是饱和压降，大约是200mV，而NMOS由于drop-out电压受到了误差放大器输出电压的限制（误差放大器的输出电压为大只能达到其电源电压，即LDO的输入电压），所以drop-out电压大小为NMOS的Vgs，所以就没有PMOS的优势了。当然也可以引入charge-pump提高误差放大器的电源电压来解决但是提高了复杂度和成本，但是NMOS调整管的PSRR(电源***比)比PMOS好。

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在某些应用中，比如无线电通信设备通常只有一足电池供电，但各部分电路常常采用互相隔离的不同电压，因此必须由多只稳压器供电。为了节省共电池的电量，通常设备不工作时，都希望低压差线性稳压器工作于睡眠状态。为此，要求线性稳压器具有使能控制端。有单组蓄电池供电的多路输出且具有通断控制功能的供电系统.

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尽量选用CMOS集成电路 CMOS集成电路（Complementary Metal Oxide Semiconductor）即互补金属－氧化物－半导体集成电路，浙江低压半桥驱动，它1大的优点是微功耗（静态功耗几乎为零），其次的优点是输出逻辑电平摆幅大，因而抗干扰能力强，同时它的工作温度范围也宽，因此CMOS电路一开始出现就和低功耗便携式仪器仪表结下了不解之缘。

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