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发布时间:2020-06-01 03:01:48
上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是:抗干扰能力强,抗静电能力强,电参数性能稳定,上机率高,工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌,拓宽销售市场,让客户用得满意,用的放心。
同步整流技术
开关电源的损耗主要由3部分组成:功率开关管的损耗,高频变压器的损耗,输出端整流管的损耗。在低电压、大电流输出的情况下,整流二极管的导通压降较高,输出端整流管的损耗尤为突出。快***二极管(FRD)或超快***二极管(SRD)可达1.0~1.2V,即使采用低压降的肖特基二极管(SBD),也会产生大约0.6V的压降,这就导致整流损耗增大,电源效率降低。
上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是:抗干扰能力强,抗静电能力强,电参数性能稳定,上机率高,工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌,拓宽销售市场,让客户用得满意,用的放心。
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET,来取代整流二极管以降低整流损耗的一项新技术。它能大大提高DCDC变换器的效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压。
同步整流的基本电路结构:
功率MOSFET属于电压控制型器件,它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时,要求电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能,故称之为同步整流。
上海明达微电子有限公司所供的全部产品的特点是:抗干扰能力强,抗静电能力强,电参数性能稳定,上机率高,工作失效率低。公司将不断打造自己的品牌,DCDC升压电路,拓宽销售市场,让客户用得满意,用的放心。
近几年来,随著半导体技术的发展,表面贴装的电感器、电容器、以及高集成度的电源控制芯片的成本不断降低,体积越来越小。由于出现了导通电阻很小的M O S F E T可以输出很大功率,因而不需要外部的大功率F E T。例如对于3 V的输入电压,利用芯片上的N F E T可以得到5 V/2 A的输出。其次,对于中小功率的应用,可以使用成本低小型封装。另外,如果开关频率提高到1 MHz,还能够降低成本、可以使用尺寸较小的电感器和电容器。有些新器件还增加许多新功能,如软启动、限流、P F M或者P W M方式选择等。
总的来说,升压是一定要选DC-DC的,降低压,是选择DC-DC还是L DO,要在成本,效率,噪声和性能上比较。
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